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IXFH7N100P

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30+

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Especificaciones

Número de pieza

IXFH7N100P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXFH7N100P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

6V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

HiPerFET™, Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2590pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

47nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 7A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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