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2439935Imagen IXFN27N80IXYS Corporation

IXFN27N80

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IXFN27N80
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IXFN27N80.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    300 mOhm @ 13.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    520W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Otros nombres
    468185
    Q1653251
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    Not Applicable
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9740pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    400nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V, 15V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    800V
  • Descripción detallada
    N-Channel 800V 27A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

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