IXFN30N120P

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Especificaciones

Número de pieza

IXFN30N120P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFN30N120P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

6.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs

350 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

890W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

19000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

310nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 30A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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IXFN320N17T2

Descripción: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Fabricantes: IXYS Corporation

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