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3763726Imagen IXFN50N120SKIXYS Corporation

IXFN50N120SK

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IXFN50N120SK
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    IXFN50N120SK.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.8V @ 10mA
  • Vgs (Max)
    +20V, -5V
  • Tecnología
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-227B
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    52 mOhm @ 40A, 20V
  • La disipación de energía (máximo)
    -
  • Paquete / Cubierta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    24 Weeks
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1895pF @ 1000V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    115nC @ 20V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
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