IXFN50N120SIC

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Especificaciones

Número de pieza

IXFN50N120SIC
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXFN50N120SIC.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 2mA
Vgs (Max)

+20V, -5V
Tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 40A, 20V
La disipación de energía (máximo)

-
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

100nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXFN50N120SIC".

IXFN50N120SK

Descripción: MOSFET N-CH

Fabricantes: IXYS Corporation

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