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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFP56N30X3M

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Imagen IXFP56N30X3M

IXYS Corporation

IXFP56N30X3M

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Especificaciones

Número de pieza

IXFP56N30X3M
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

FET N-CHANNEL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXFP56N30X3M.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220 Isolated Tab
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

27 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo)

36W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

300V
Descripción detallada

N-Channel 300V 56A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Tc)

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