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Imagen IXFP5N100PM

IXYS Corporation

IXFP5N100PM

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Especificaciones

Número de pieza

IXFP5N100PM
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFP5N100PM.pdf
VGS (th) (Max) @Id

6V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220 Isolated Tab
Serie

HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

42W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

33.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 2.3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Tc)

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