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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFQ24N50P2

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Imagen IXFQ24N50P2

IXYS Corporation

IXFQ24N50P2

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30+

$3.959

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Especificaciones

Número de pieza

IXFQ24N50P2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

500V POLAR2 HIPERFETS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

No aplicable / No aplicable
Especificaciones

IXFQ24N50P2.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @Id, Vgs

270 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

480W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Not applicable / Not applicable
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2890pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 24A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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