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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFQ50N60P3

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Imagen IXFQ50N60P3

IXYS Corporation

IXFQ50N60P3

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Especificaciones

Número de pieza

IXFQ50N60P3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFQ50N60P3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

HiPerFET™, Polar3™
RDS (Max) @Id, Vgs

145 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1040W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

94nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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