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6851966Imagen IXFT12N100IXYS Corporation

IXFT12N100

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IXFT12N100
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IXFT12N100.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-268
  • Serie
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.05 Ohm @ 6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    300W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4000pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1000V
  • Descripción detallada
    N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

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