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IXFT150N17T2

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30+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    IXFT150N17T2
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    IXFT150N17T2.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-268
  • Serie
    HiPerFET™, TrenchT2™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12 mOhm @ 75A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    880W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    24 Weeks
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    14600pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    233nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    175V
  • Descripción detallada
    N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    150A (Tc)

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