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6202251

Imagen IXKN75N60C

IXYS Corporation

IXKN75N60C

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Especificaciones

Número de pieza

IXKN75N60C
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXKN75N60C.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

36 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

560W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres

498718
IXKN 75N60C
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

500nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 75A (Tc) 560W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

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