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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXKP20N60C5M

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Imagen IXKP20N60C5M

IXYS Corporation

IXKP20N60C5M

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Especificaciones

Número de pieza

IXKP20N60C5M
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXKP20N60C5M.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 1.1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220ABFP
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1520pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 7.6A (Tc) Through Hole TO-220ABFP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A (Tc)

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