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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTD1R4N60P 11
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IXTD1R4N60P 11

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IXTD1R4N60P 11
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    5.5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    PolarHV™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    9 Ohm @ 700mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    50W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    IXTD1R4N60P11
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    140pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    5.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount Die
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Tc)

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