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Imagen IXTF02N450

IXYS Corporation

IXTF02N450

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Especificaciones

Número de pieza

IXTF02N450
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTF02N450.pdf
VGS (th) (Max) @Id

6.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOPLUS i4-PAC™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

750 Ohm @ 10mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

78W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

i4-Pac™-5 (3 Leads)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

4500V
Descripción detallada

N-Channel 4500V 200mA (Tc) 78W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Tc)

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