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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTH1N200P3

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1990829

Imagen IXTH1N200P3

IXYS Corporation

IXTH1N200P3

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Especificaciones

Número de pieza

IXTH1N200P3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTH1N200P3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 (IXTH)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

40 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

2000V
Descripción detallada

N-Channel 2000V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Tc)

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