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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTH200N10T

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214247

Imagen IXTH200N10T

IXYS Corporation

IXTH200N10T

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Especificaciones

Número de pieza

IXTH200N10T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTH200N10T.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 (IXTH)
Serie

TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs

5.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

550W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

152nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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