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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTH60N30T

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Imagen IXTH60N30T

IXYS Corporation

IXTH60N30T

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Especificaciones

Número de pieza

IXTH60N30T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 (IXTH)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

300V
Descripción detallada

N-Channel 300V 60A (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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