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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTH6N100D2

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Imagen IXTH6N100D2

IXYS Corporation

IXTH6N100D2

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Especificaciones

Número de pieza

IXTH6N100D2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTH6N100D2.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 (IXTH)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.2 Ohm @ 3A, 0V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

95nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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