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1955447

Imagen IXTU01N100D

IXYS Corporation

IXTU01N100D

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Especificaciones

Número de pieza

IXTU01N100D
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTU01N100D.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 Ohm @ 50mA, 0V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta), 25W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Tc)

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