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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTU08N100P

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Imagen IXTU08N100P

IXYS Corporation

IXTU08N100P

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Especificaciones

Número de pieza

IXTU08N100P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 8A (Tc) Through Hole TO-251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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