Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTY1N80P

RFQs/Orden (0)

español

español

1835616

IXTY1N80P

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

70+

$1.811

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

IXTY1N80P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTY1N80P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs

14 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

42W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "IXTY1N80P".

IXTY1R4N100P

IXTY1R4N100P

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1R4N60P TRL

IXTY1R4N60P TRL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1N120P

IXTY1N120P

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY15N20T

IXTY15N20T

Descripción: MOSFET N-CH 200V 15A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV

Descripción: MOSFET N-CH

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY15P15T

IXTY15P15T

Descripción: MOSFET P-CH 150V 15A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY12N06T

IXTY12N06T

Descripción: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1N100P

IXTY1N100P

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1N80

IXTY1N80

Descripción: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

Descripción: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY24N15T

IXTY24N15T

Descripción: MOSFET N-CH 150V 24A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY10P15T

IXTY10P15T

Descripción: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY18P10T

IXTY18P10T

Descripción: MOSFET P-CH 100V 18A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY12N06TTRL

IXTY12N06TTRL

Descripción: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1R4N60P

IXTY1R4N60P

Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY08N50D2

IXTY08N50D2

Descripción: MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

Descripción: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXTY26P10T

IXTY26P10T

Descripción: MOSFET P-CH 100V 26A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.