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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTY1R4N120PHV

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IXTY1R4N120PHV

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Especificaciones

Número de pieza

IXTY1R4N120PHV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXTY1R4N120PHV.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252
Serie

Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs

13 Ohm @ 700mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

86W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

666pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Tc)

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