International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC12DN20NS3GATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC12DN20NS3GATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC12DN20NS3GATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 5.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC12DN20NS3 G
BSC12DN20NS3G
BSC12DN20NS3GATMA1TR
BSC12DN20NS3GTR
BSC12DN20NS3GTR-ND
SP000781774
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.3A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 150V 76A 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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