International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC150N03LDGATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC150N03LDGATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.BSC150N03LDGATMA1.pdf
2.BSC150N03LDGATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8 Dual
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max

26W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

BSC150N03LD G
BSC150N03LD G-ND
BSC150N03LD GTR
BSC150N03LD GTR-ND
BSC150N03LDG
BSC150N03LDGATMA1TR
SP000359362
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13.2nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A
Número de pieza base

BSC150N03

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BSC12DN20NS3GATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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