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3570401Imagen BSO211PNTMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO211PNTMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSO211PNTMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BSO211PNTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.2V @ 25µA
  • Paquete del dispositivo
    P-DSO-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    BSO211P
    BSO211PINTR
    BSO211PINTR-ND
    BSO211PNT
    BSO211PNTMA1TR
    BSO211PT
    BSO211PT-ND
    SP000012623
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    920pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    23.9nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4.7A
  • Número de pieza base
    BSO211

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