International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO303SPHXUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSO303SPHXUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSO303SPHXUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-DSO-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 9.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.56W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

BSO303SP H
BSO303SP H-ND
BSO303SP HTR-ND
BSO303SPH
BSO303SPHXUMA1TR
SP000613848
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 7.2A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta)

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BSO220N03MDGXUMA1

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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