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3738219Imagen BSZ12DN20NS3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ12DN20NS3GATMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSZ12DN20NS3GATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TSDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    125 mOhm @ 5.7A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    50W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    BSZ12DN20NS3GATMA1CT
    BSZ12DN20NS3GCT
    BSZ12DN20NS3GCT-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    8.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
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