International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ16DN25NS3GATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSZ16DN25NS3GATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSZ16DN25NS3GATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 32µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TSDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

165 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

62.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSZ16DN25NS3 G
BSZ16DN25NS3G
BSZ16DN25NS3GATMA1TR
BSZ16DN25NS3GTR
BSZ16DN25NS3GTR-ND
SP000781800
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.9A (Tc)

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BSZ300N15NS5ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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