FF225R12ME4BOSA1

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Especificaciones

Número de pieza

FF225R12ME4BOSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FF225R12ME4BOSA1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A
Paquete del dispositivo

Module
Serie

-
Potencia - Max

1050W
Paquete / Cubierta

Module
Otros nombres

FF225R12ME4
FF225R12ME4-ND
SP000405064
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

13nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
Descripción detallada

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200V 320A 1050W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max)

3mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

320A
Configuración

2 Independent

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FF200R17KE3S4HOSA1

Descripción: IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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