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3960616Imagen FF23MR12W1M1B11BOMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

FF23MR12W1M1B11BOMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FF23MR12W1M1B11BOMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
    2.FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5.55V @ 20mA
  • Paquete del dispositivo
    Module
  • Serie
    CoolSiC™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    23 mOhm @ 50A, 15V
  • Potencia - Max
    20mW
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Otros nombres
    SP001602224
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    Not Applicable
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3950pF @ 800V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    125nC @ 15V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1200V (1.2kV)
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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