International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB600N25N3GATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPB600N25N3GATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB600N25N3GATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

136W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IPB600N25N3 G
IPB600N25N3 G-ND
IPB600N25N3 GTR
IPB600N25N3 GTR-ND
IPB600N25N3G
IPB600N25N3GATMA1TR
SP000676408
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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