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2374812Imagen IPB60R099C7ATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R099C7ATMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPB60R099C7ATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPB60R099C7ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 490µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO263-3
  • Serie
    CoolMOS™ C7
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    99 mOhm @ 9.7A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    110W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Otros nombres
    IPB60R099C7ATMA1-ND
    IPB60R099C7ATMA1TR
    SP001297998
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1819pF @ 400V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 22A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
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