International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R650CEATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD50R650CEATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD50R650CEATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™ CE
RDS (Max) @Id, Vgs

650 mOhm @ 1.8A, 13V
La disipación de energía (máximo)

69W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD50R650CEATMA1-ND
IPD50R650CEATMA1TR
SP001117708
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

342pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

13V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.1A (Tc)

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Descripción: LOW POWER_LEGACY

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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