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4158395Imagen IPD50R950CEBTMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R950CEBTMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPD50R950CEBTMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IPD50R950CEBTMA1.pdf
    2.IPD50R950CEBTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    950 mOhm @ 1.2A, 13V
  • La disipación de energía (máximo)
    34W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    IPD50R950CE
    IPD50R950CEBTMA1TR
    IPD50R950CEINTR
    IPD50R950CEINTR-ND
    SP000992070
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    231pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    Super Junction
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    13V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    500V
  • Descripción detallada
    N-Channel 500V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 250V 25A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

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Descripción: CONSUMER

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Descripción: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

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Descripción: MOSFET N-CH TO252-3

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Descripción: LOW POWER_LEGACY

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