International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD95R2K0P7ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD95R2K0P7ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 950V 4A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD95R2K0P7ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 80µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™ P7
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 1.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

37W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD95R2K0P7ATMA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

950V
Descripción detallada

N-Channel 950V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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IPD90P04P405AUMA1

Descripción: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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