International Rectifier (Infineon Technologies)

IPDH4N03LAG

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Especificaciones

Número de pieza

IPDH4N03LAG
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPDH4N03LAG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 40µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.2 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

94W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPDH4N03LAGINTR
IPDH4N03LAGXT
IPDH4N03LAGXTINTR
IPDH4N03LAGXTINTR-ND
SP000016407
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IPDH4N03LAG".

IPD90P04P4L04ATMA1

Descripción: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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