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6333748Imagen IPP50R380CEXKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP50R380CEXKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPP50R380CEXKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IPP50R380CEXKSA1.pdf
    2.IPP50R380CEXKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 260µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO-220-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    380 mOhm @ 3.2A, 13V
  • La disipación de energía (máximo)
    73W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    IPP50R380CE
    IPP50R380CE-ND
    SP000850818
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    584pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    24.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    Super Junction
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    13V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    500V
  • Descripción detallada
    N-Channel 500V 9.9A (Tc) 73W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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Descripción: MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220

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Descripción: LOW POWER_LEGACY

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 9A TO-220

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220

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