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3790608Imagen IPP60R060P7XKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP60R060P7XKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPP60R060P7XKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPP60R060P7XKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 800µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO220-3
  • Serie
    CoolMOS™ P7
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    60 mOhm @ 15.9A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    164W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    SP001658410
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2895pF @ 400V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    48A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 31A TO-220

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 31A TO-220

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Descripción: MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220

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IPP60R099P6XKSA1

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Descripción: MOSFET N-CH 600V TO220-3

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IPP50R399CPXKSA1

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 9A TO-220

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IPP60R060C7XKSA1

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

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