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2681190Imagen IPP60R099CPAAKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP60R099CPAAKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPP60R099CPAAKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPP60R099CPAAKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 1.2mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO-220-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    105 mOhm @ 18A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    255W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    IPP60R099CPA
    IPP60R099CPA-ND
    SP000315418
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2800pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    31A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

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IPP60R099CPXKSA1

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 31A TO-220

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3

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