International Rectifier (Infineon Technologies)

IPU04N03LB G

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Especificaciones

Número de pieza

IPU04N03LB G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPU04N03LB G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 70µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

P-TO251-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.3 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

115W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

IPU04N03LB G-ND
IPU04N03LBG
IPU04N03LBGX
SP000220463
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 50A (Tc) 115W (Tc) Through Hole P-TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IPU04N03LB G".

IPU090N03L G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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