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IRF5852TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF5852TR
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IRF5852TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.25V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    6-TSOP
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
  • Potencia - Max
    960mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.7A

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Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

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