IRF5810TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF5810TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF5810TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potencia - Max

960mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

IRF5810TRPBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A
Número de pieza base

IRF5810PBF

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF5810TRPBF".

IRF5804TR

Descripción: MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF5810TRPBF

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