International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6603TR1

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6603TR1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF6603TR1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET™ MT
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.4 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.6W (Ta), 42W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric MT
Otros nombres

SP001531594
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6590pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

72nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta), 92A (Tc)

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IRF6603

Descripción: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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