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5902835Imagen IRF6608TR1International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6608TR1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF6608TR1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IRF6608TR1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    DIRECTFET™ ST
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    9 mOhm @ 13A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.1W (Ta), 42W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DirectFET™ Isometric ST
  • Otros nombres
    SP001528864
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2120pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    24nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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