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Imagen IRF6611TR1PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6611TR1PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6611TR1PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF6611TR1PBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET™ MX
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.6 mOhm @ 27A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.9W (Ta), 89W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric MX
Otros nombres

IRF6611TR1PBFTR
SP001526904
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4860pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Ta), 150A (Tc)

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