International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6655TR1PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6655TR1PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF6655TR1PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.8V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET™ SH
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

62 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.2W (Ta), 42W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric SH
Otros nombres

SP001576858
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta), 19A (Tc)

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IRF6645

Descripción: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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