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Imagen IRF6662TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6662TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6662TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF6662TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET™ MZ
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 8.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric MZ
Otros nombres

IRF6662TRPBFCT
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

31nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.3A (Ta), 47A (Tc)

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