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1624560Imagen IRF6691TR1International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6691TR1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF6691TR1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IRF6691TR1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    DIRECTFET™ MT
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.8 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DirectFET™ Isometric MT
  • Otros nombres
    SP001530888
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6580pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    71nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
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