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3465826Imagen IRF6706S2TRPBFInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6706S2TRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF6706S2TRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRF6706S2TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.35V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    DIRECTFET S1
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 17A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.8W (Ta), 26W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DirectFET™ Isometric S1
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1810pF @ 13V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    20nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    25V
  • Descripción detallada
    N-Channel 25V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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